新加坡首個國家氮化鎵半導體轉化與創新中心（NSTIC (GaN)）於6月26日正式啟用，將助力本地開發更小、更快、更節能的電子技術，搶占5G/6G、雷達與衛星通信等全球市場機遇。

該中心由南洋理工大學與A*STAR、DSO聯合共建，NTU教授出任執行主任，充分發揮科研優勢，推動氮化鎵技術從實驗室走向產業，鞏固新加坡在先進半導體領域的地位。

國家氮化鎵創新中心正式啟用

6月26日，新加坡國家氮化鎵半導體轉化與創新中心（National Semiconductor Translation and Innovation Centre for Gallium Nitride，簡稱 NSTIC (GaN)）正式啟用，由主管能源及科技的Tan See Leng部長主持開幕。

新加坡貿工部主管能源及科技的部長Tan See Leng（中），與NSTIC（GaN）執行主任、南洋理工大學Ng Geok Ing教授（最左），以及南洋理工大學工業合作副校長 Lam Khin Yong教授（最右）合影。

來源：ntu

這是新加坡首個專注氮化鎵（GaN）半導體技術的國家級中心，將推動更小、更快、更節能的電子產品研發，助力本地企業在5G/6G、雷達及衛星通信等高增長全球市場中搶占先機。

三方攜手，共建前沿平台

該中心前身是2023年成立的國家氮化鎵技術中心（NGTC），由新加坡科技研究局（A*STAR）、DSO 國家實驗室以及南洋理工大學（NTU）聯合建立。

NSTIC (GaN) 配備最先進的晶圓製造和原型測試設施，將緩解本地產業面臨的「缺乏製造產線」痛點，並加強學研企的深度協作。

開幕儀式上，A*STAR、DSO 和 NTU 多位領導嘉賓到場祝賀，包括NTU工業合作副校長Lam Khin Yong。

氮化鎵：改變未來電子的關鍵材料

氮化鎵（GaN）被視為下一代高性能電子器件的核心驅動力。

與傳統矽相比，GaN能在更高電壓和更高頻率下運行，損耗更低，使電子元件體積更小、速度更快、能效更高。

內含氮化鎵（GaN）的電子元件 來源：google

如今，GaN 技術已廣泛應用於：

手機快充適配器

LED 驅動

筆記本電源

其優異的電熱性能使設備更小巧更高效。

在電動汽車快速充電領域，GaN 也因其高功率效率，正迅速成為熱門選擇。

NTU教授領銜，加速半導體創新

NSTIC (GaN) 由南洋理工大學電氣與電子工程學院的Ng Geok Ing教授出任執行主任，同時他也在 A*STAR 微電子研究所擔任聯合職務。

未來，中心將通過整合科研、原型驗證與產業合作，推動氮化鎵技術快速商業化，進一步鞏固新加坡在先進半導體領域的全球地位。